型号: IRHNA63160
功能描述: MOSFET
制造商: International Rectifier
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 56 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMD-3
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 20 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 75 ns
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：马小姐
电话：13922854643
Q Q:
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：黄泳钦
电话：0755-0000000
Q Q:
联系人：刘钰泉
电话：15675495666
Q Q:
联系人：刘先生
电话：13662421505
Q Q:
