型号: IRHNB3260
功能描述: Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin SMD
制造商: international rectifier
包装： 3SMD
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 200 V
最大连续漏极电流： 43 A
RDS -于： 77@12V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 50(Max) ns
典型关闭延迟时间： 200(Max) ns
典型下降时间： 130(Max) ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
剂量水平： 300
抗辐射： Yes
标准包装： Bulk
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Q Q:
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