型号: IRL3215PBF
功能描述: HEXFET Power MOSFET
制造商: IRF [International Rectifier]
典型关断延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 7.4 ns
典型栅极电荷@Vgs: 35 nC V @ 5
典型输入电容值@Vds: 775 pF V @ 25
安装类型: 通孔
封装类型: TO-220AB
引脚数目: 3
最低工作温度: -55 °C
最大功率耗散: 80 W
最大栅源电压: ±16 V
最大漏源电压: 150 V
最大漏源电阻值: 0.166
最大连续漏极电流: 12 A
最高工作温度: +175 °C
每片芯片元件数目: 1
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: N
配置: 单
高度: 8.77mm
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