型号: IRL40T209
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:0.72mΩ @ 100A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500W(Tc) 类型:N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.4V @ 250uA
漏源导通电阻: 0.72mΩ @ 100A, 10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 500W(Tc)
类型: N沟道
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