型号: IRL530
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 28nC @ 5V
Vgs(最大值): ±10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 930pF @ 25V
功率耗散(最大值): 88W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 160 毫欧 @ 9A,5V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:李小姐
电话:13066809747
联系人:连
电话:18922805453
联系人:陈玲玲
电话:18126117392
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:胡小姐
电话:13724343501
联系人:李生
电话:13602549709
联系人:禹露
Q Q:
联系人:朱先生
电话:13532530515