型号: IRL530STRR
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 28nC @ 5V
Vgs（最大值）： ±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 930pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），88W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 160 毫欧 @ 9A，5V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D2PAK
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：詹嘉捷
电话：13286466676
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：黄
电话：13728703671
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13392801011
Q Q:
联系人：朱
电话：15219483667
Q Q:
