型号: IRLBD59N04ETRLP
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
产品培训模块： Discrete Power MOSFETs 40V and Below
标准包装： 800
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： HEXFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 59A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 18 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 50nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 2190pF @ 25V
功率 - 最大值： 130W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA
供应商器件封装： TO-263-5
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