型号: IRLD110PBF
功能描述: MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: HVMDIP-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 1 A
Rds On-漏源导通电阻: 540 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 6.1 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 1.3 S
下降时间: 17 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.7 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 9.3 ns
联系人：刘子书
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：吴雅文
电话：18588438045
Q Q:
联系人：林
电话：18123937529
Q Q:
联系人：赵洋
电话：15553741900
Q Q:
