型号:  IRLHS6376TRPBF

功能描述:  Dual N-Channel 30 V 63 mOhm 2.8 nC 1.5 W Hexfet® Power Mosfet - PQFN 2X2 mm

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TSDSON-6

FET 类型：  2 个 N 沟道（双）

FET 功能：  逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  3.6A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  63 毫欧 @ 3.4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.1V @ 10µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  2.8nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  270pF @ 25V

功率 - 最大值：  1.5W

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

系列：  HEXFET®

FET类型：  2 个 N 沟道（双）

FET功能：  逻辑电平门

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  63 毫欧 @ 3.4A，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1.1V @ 10µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  2.8nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  270pF @ 25V

功率-最大值：  1.5W

封装形式Package：  PQFN

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  3.6A

供应商器件封装：  6-PQFN（2x2）

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs