型号: IRLHS6376TRPBF
功能描述: Dual N-Channel 30 V 63 mOhm 2.8 nC 1.5 W Hexfet® Power Mosfet - PQFN 2X2 mm
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: PG-TSDSON-6
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3.6A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.1V @ 10µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 270pF @ 25V
功率 - 最大值: 1.5W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
系列: HEXFET®
FET类型: 2 个 N 沟道(双)
FET功能: 逻辑电平门
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 1.1V @ 10µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.8nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 270pF @ 25V
功率-最大值: 1.5W
封装形式Package: PQFN
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 30V
连续漏极电流ID: 3.6A
供应商器件封装: 6-PQFN(2x2)
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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