型号: IRLI520N
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 8.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 20nC @ 5V
Vgs（最大值）： ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 440pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 30W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 180 毫欧 @ 6A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220AB 整包
封装/外壳： FULLPAK220
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：李小姐
电话：18098935727
Q Q:
联系人：江先生
电话：15814016862
Q Q:
联系人：张靖杰
电话：15875801632
Q Q:
