型号: IRLI640GPBF
功能描述: N-Channel 200 V 40 W 66 nC Power Mosfet Flange Mount - TO-220FPAK
制造商: Vishay
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 9.9A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4V，5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 66nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1800pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±10V
功率耗散（最大值）： 40W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 180 毫欧 @ 5.9A，5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片
封装形式Package： TO-220-3
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 200V
连续漏极电流ID： 9.9A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 180mOhms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈梦，李丽
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：陈锦伟
电话：18316710010
Q Q:
联系人：陈军宇
电话：15914026290
Q Q:
联系人：张捷
Q Q:
