型号: IRLM110ATF
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 1.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 8nC @ 5V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 235pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 2.2W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 440 毫欧 @ 750mA，5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： SOT-223-4
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：赵文川
电话：18021059766
Q Q:
联系人：陈先生
电话：15999512535
Q Q:
联系人：曾先生
电话：13242990037
Q Q:
