型号:  IRLML2803GTRPBF

功能描述:  IRLML2803G - N-Channel 30 V 0.25 O 540 mW HEXFET Mosfet Surface Mount - MICRO-3

制造商:  Infineon Technologies

系列：  HEXFET®

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  1.2A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  5nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  85pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  540mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  250 毫欧 @ 910mA，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT23

封装形式Package：  SOT-23

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  1.2A

漏源电压（Vdss）：  30V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  5nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  85pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  25V

供应商器件封装：  Micro3™/SOT-23

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs