型号:  IRLML6302TR

功能描述:  International Rectifier/分立半导体产品

制造商:  International Rectifier

产品培训模块：  Discrete Power MOSFETs 40V and Below

设计资源：  IRLML6302TR Saber Model IRLML6302TR Spice Model

标准包装：  1

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  HEXFET®

包装：  剪切带（CT）

FET 类型：  MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：  逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  780mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  600 毫欧 @ 610mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  3.6nC @ 4.45V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  97pF @ 15V

功率 - 最大值：  540mW

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：  Micro3?/SOT-23

其它名称：  *IRLML6302TRIRLML6302IRLML6302-NDIRLML6302CT