型号:  IRLMS2002TR

功能描述:  International Rectifier/分立半导体产品

制造商:  International Rectifier

产品培训模块：  Discrete Power MOSFETs 40V and Below

设计资源：  IRLMS2002TR Saber Model IRLMS2002TR Spice Model

标准包装：  1

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  HEXFET®

包装：  剪切带（CT）

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  6.5A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  30 毫欧 @ 6.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  22nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  1310pF @ 15V

功率 - 最大值：  2W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT-23-6

供应商器件封装：  Micro6?（SOT23-6）

其它名称：  *IRLMS2002TRIRLMS2002CT