型号:  IRLP3034PBF

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLP3034PBF, 327 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-247AC封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  TO247

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  195A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  1.7 毫欧 @ 195A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  162nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  10315pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  341W（Tc）

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  162nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  10315pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  25V

供应商器件封装：  TO-247AC

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  327 A

最大漏源电压：  40 V

最大漏源电阻值：  2 m0hms

最大栅阈值电压：  2.5V

最小栅阈值电压：  1V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  TO-247AC

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  341000 mW

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +175 °C

每片芯片元件数目：  1

长度：  15.87mm

高度：  20.7mm

系列：  HEXFET

宽度：  5.31mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  108 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds：  10315 pF@ 25 V

典型关断延迟时间：  97 ns

典型接通延迟时间：  65 ns

尺寸：  15.87 x 5.31 x 20.7mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs