型号: IRLR024TRPBF
功能描述: Single N-Channel 60 V 0.1 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
制造商: Vishay
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 14A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4V，5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 18nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 870pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±10V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 100 毫欧 @ 8.4A，5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装形式Package： DPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 60V
连续漏极电流ID： 14A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13590107572
Q Q:
联系人：黄宏宇
电话：15017940560
Q Q:
联系人：刘
电话：13570480833
Q Q:
