型号: IRLR210ATF
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 9nC @ 5V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 240pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），21W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.5 欧姆 @ 1.35A，5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D-Pak
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18188616609
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：李原装
电话：13246723227
Q Q:
联系人：彭威豪
电话：13530088610
Q Q:
联系人：吴召辉
电话：13338911218
Q Q:
