型号: IRLR3636TRLPBF
功能描述: Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3636TRLPBF, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: DPAK
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 6.8 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 49nC @ 4.5V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 3779pF @ 50V
功率耗散(最大值): 143W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 49nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs: 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 3779pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds: 50V
供应商器件封装: D-Pak
通道类型: N
最大连续漏极电流: 99 A
最大漏源电压: 60 V
最大漏源电阻值: 8.3 m0hms
最大栅阈值电压: 2.5V
最小栅阈值电压: 1V
最大栅源电压: -16 V、+16 V
封装类型: DPAK (TO-252)
引脚数目: 3
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 143 W
长度: 6.73mm
高度: 6.22mm
最低工作温度: -55 °C
正向跨导: 31S
每片芯片元件数目: 1
正向二极管电压: 1.3V
最高工作温度: +175 °C
系列: HEXFET
典型输入电容值@Vds: 3779 pF @ 50 V
典型关断延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
宽度: 2.39mm
典型栅极电荷@Vgs: 33 nC @ 4.5 V
尺寸: 6.73 x 2.39 x 6.22mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:唐小姐,朱先生
电话:18802682975
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:陈玲玲
电话:18126117392
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:Alien
联系人:林炜东,林俊源
联系人:朱小姐
电话:18923795677
联系人:温兆武
电话:13418523047
联系人:陈晓斌
电话:15220450004