型号:  IRLR3802PBF

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3802PBF, 84 A, Vds=12 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  DPAK

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  84A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  2.8V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  8.5 毫欧 @ 15A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.9V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  41nC @ 5V

Vgs（最大值）：  ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2490pF @ 6V

功率耗散（最大值）：  88W（Tc）

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  D-Pak

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  84 A

最大漏源电压：  12 V

最大漏源电阻值：  0.03 0hms

最大栅源电压：  -12 V、+12 V

封装类型：  DPAK (TO-252)

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  88 W

正向跨导：  31S

每片芯片元件数目：  1

正向二极管电压：  1.2V

尺寸：  6.73 x 2.39 x 6.22mm

长度：  6.73mm

典型栅极电荷@Vgs：  41 nC @ 5 V

典型输入电容值@Vds：  2490 pF @ 6 V

典型关断延迟时间：  21 ns

典型接通延迟时间：  11 ns

宽度：  2.39mm

系列：  HEXFET

高度：  6.22mm

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +175 °C

晶体管材料：  Si

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs