型号:  IRLR6225TRPBF

功能描述:  Single N-Channel 20 V 63 W 48 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  DPAK

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  4 毫欧 @ 21A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.1V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  72nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：  ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3770pF @ 10V

功率耗散（最大值）：  63W（Tc）

工作温度：  -50°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

系列：  HEXFET®

FET类型：  N 沟道

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  100A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  2.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1.1V @ 50µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  72nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3770pF @ 10V

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  4 毫欧 @ 21A，4.5V

封装形式Package：  DPAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  20V

连续漏极电流ID：  100A

供应商器件封装：  D-Pak

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  4.5V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  10V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs