型号: IRLU024PBF
功能描述: Single N-Channel 60 V 0.1 Ohm 42 W Through Hole Power Mosfet - TO-251-3
制造商: Vishay
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 14A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4V，5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 18nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 870pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±10V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 100 毫欧 @ 8.4A，5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
封装形式Package： TO-251-3
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 60V
连续漏极电流ID： 14A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 100mOhms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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