型号:  IRLU3110ZPBF

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLU3110ZPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  IPAK

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  42A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  14 毫欧 @ 38A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.5V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  48nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：  ±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3980pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  140W（Tc）

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  IPAK（TO-251）

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  63 A

最大漏源电压：  100 V

最大漏源电阻值：  14 m0hms

最大栅阈值电压：  2.5V

最小栅阈值电压：  1V

最大栅源电压：  -16 V、+16 V

封装类型：  IPAK (TO-251)

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  140 W

最低工作温度：  -55 °C

每片芯片元件数目：  1

尺寸：  6.6 x 2.3 x 6.1mm

宽度：  2.3mm

系列：  HEXFET

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  34 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds：  3980 pF@ 25 V

典型关断延迟时间：  33 ns

典型接通延迟时间：  24 ns

最高工作温度：  +175 °C

长度：  6.6mm

高度：  6.1mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs