型号: IRLW610ATM
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 9nC @ 5V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 240pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），33W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.5 欧姆 @ 1.65A，5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： I2PAK（TO-262）
封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：卢先生
电话：13798251296
Q Q:
联系人：蓝维雪
Q Q:
联系人：陈伟杰
电话：15914022833
Q Q:
