型号: IRS2001SPBF...
功能描述:
制造商:
驱动芯片类型: 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
模块配置: 高压侧/低压侧
输出电流 峰值: 600mA
输入延迟: 160ns
输出延时: 150ns
电源电压范围: 10V 到 20V
封装类型: SOIC
针脚数: 8
工作温度范围: -40°C 到 +125°C
MSL: MSL 2 - 1年
SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
偏移电压: 200V
功耗, Pd: 6250mW
器件标号: 2001
封装类型: SOIC
最大输出电流: 270mA
电源电压 最大: 20V
电源电压 最小: 10V
表面安装器件: 表面安装
输出电压: 220V
输出电压 最大: 20V
输出电压 最小: 10V
输出电流: 130mA
输出电流 + 最大: 130mA
输出通道数字: 2
联系人：吴新
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：13590991023
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈先生，张女士
电话：13606207446
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13310877445
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13590290444
Q Q:
联系人：歐陽
电话：13714200948
Q Q:
联系人：郭s
电话：13424225082
Q Q:
