型号: IRS2109SPBF.
功能描述:
制造商:
驱动芯片类型: 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
模块配置: 高压侧
输出电流 峰值: 600mA
输入延迟: 750ns
输出延时: 200ns
电源电压范围: 10V 到 20V
封装类型: SOIC
针脚数: 8
工作温度范围: -40°C 到 +125°C
MSL: MSL 2 - 1年
SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
偏移电压: 600V
功耗, Pd: 6250mW
器件标号: 2109
封装类型: SOIC
最大输出电流: 250mA
电源电压 最大: 20V
电源电压 最小: 10V
表面安装器件: 表面安装
输出电压: 620V
输出电压 最大: 20V
输出电压 最小: 10V
输出电流: 120mA
输出电流 + 最大: 120mA
输出通道数字: 1
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Q Q:
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