型号: IRS21281PBF
功能描述: Infineon IRS21281PBF MOSFET 功率驱动器, 0.2A, 9 → 20 V电源, 8引脚 PDIP封装
制造商: Infineon Technologies
驱动配置: 高压侧
通道类型: 单路
驱动器数: 1
栅极类型: IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 电源: 9 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL,VIH: 0.8V,2.5V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): 290mA,600mA
输入类型: 反相
高压侧电压 - 最大值(自举): 600V
上升/下降时间(典型值): 80ns,40ns
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: PDIP8
供应商器件封装: 8-DIP
驱动器数目: 1
最小工作电源电压: 9 V
最大工作电源电压: 20 V
拓扑: 高侧
峰值输出电流: 0.2A
极性: 反相
封装类型: PDIP
引脚数目: 8
输入逻辑兼容性: CMOS,LSTTL
高度: 5.33mm
长度: 10.92mm
最高工作温度: +125 °C
最低工作温度: -40 °C
尺寸: 10.92 x 7.11 x 5.33mm
宽度: 7.11mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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