型号:  IRS21867STRPBF

功能描述:   MOSFET DRVR 600V 4A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R

制造商:  international rectifier

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,500

包装：  8SOIC N

驱动器类型：  High and Low Side

驱动程序配置：  Non-Inverting

输出数：  2

最大工作电源电压：  20 V

最低工作电源电压：  10 V

峰值输出电流：  4(Typ) A

最大功率耗散：  625 mW

输入逻辑相容性：  CMOS|LSTTL|3.3V|5V

最大上升时间：  38 ns

最大下降时间：  30 ns

工作温度：  -40 to 125 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

包装宽度：  3.99(Max)

PCB：  8

最大功率耗散：  625

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大下降时间：  30

最低工作温度：  -40

峰值输出电流：  4(Typ)

供应商封装形式：  SOIC N

标准包装名称：  SOIC

最高工作温度：  125

包装长度：  4.98(Max)

最低工作电源电压：  10

引脚数：  8

最大传播延迟时间：  250

包装高度：  1.5(Max)

驱动器数：  2

封装：  Tape and Reel

最大工作电源电压：  20

最大上升时间：  38

铅形状：  Gull-wing

安装类型：  Surface Mount

配置数：  1

供应商设备封装：  8-SOIC

电压 - 电源：  10 V ~ 20 V

输入类型：  Non-Inverting

高端电压 - 最大值（自启动）：  600V

封装/外壳：  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

配置：  High and Low Side, Independent

电流 - 峰值：  4A

延迟时间：  170ns

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  IRS21867STRPBFCT

工厂包装数量：  2500

产品：  H-Bridge Drivers

输出电流：  4 A

下降时间：  18 ns

类型：  High Side, Low Side

安装风格：  SMD/SMT

最大开启延迟时间：  170 ns

电源电压 - 最大：  20 V

RoHS：  RoHS Compliant

最低工作温度：  - 40 C

电源电流：  120 uA

电源电压 - 最小：  10 V

上升时间：  22 ns

最高工作温度：  + 125 C

最大关闭延迟时间：  170 ns

设备类型：  :IGBT, MOSFET

Module Configuration：  :High and Low Side

Supply Voltage Min：  :10V

Supply Voltage Max：  :20V

Driver Case Style：  :SOIC

No. of Pins：  :8

Input Delay：  :170ns

Output Delay：  :170ns

Operating Temperature Min：  :-40°C

Operating Temperature Max：  :125°C

MSL：  :-

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Weight (kg)：  0.002