型号:  IRS2330DJPBF

功能描述:  Infineon IRS2330DJPBF 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, 500mA, 10 → 20 V电源, 44引脚 PLCC封装

制造商:  Infineon Technologies

驱动配置：  半桥

通道类型：  3 相

驱动器数：  6

栅极类型：  IGBT，N 沟道 MOSFET

电压 - 电源：  10 V ~ 20 V

逻辑电压 - VIL，VIH：  0.8V，2.2V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：  250mA，500mA

输入类型：  反相

高压侧电压 - 最大值（自举）：  600V

上升/下降时间（典型值）：  80ns，35ns

工作温度：  -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PLCC44

供应商器件封装：  44-PLCC，32 引线（16.58x16.58）

驱动器数目：  2

最小工作电源电压：  10 V

最大工作电源电压：  20 V

拓扑：  高侧和低侧

峰值输出电流：  500mA

极性：  反相

封装类型：  PLCC

引脚数目：  44

电桥类型：  半桥

输入逻辑兼容性：  CMOS，LSTTL

高压侧和低压侧相关性：  独立

最低工作温度：  -40 °C

最高工作温度：  +125 °C

长度：  16.66mm

高度：  4.57 (With Pin)mm

尺寸：  16.66 x 16.66 x 4.57 (With Pin)mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs