型号: IRS23365DMTRPBF
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
驱动配置： 半桥
通道类型： 3 相
驱动器数： 6
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 10 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL，VIH： 0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 180mA，380mA
输入类型： 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 125ns，50ns
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： MLPQ 7X7 34L
供应商器件封装： 48-MLPQ（7x7）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：刘女士
电话：18269106856
Q Q:
联系人：刘勇
电话：33253606
Q Q:
联系人：祝
Q Q:
