型号: IS43DR16160B-3DBI-TR
功能描述: IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
存储器类型: 易失
存储器格式: DRAM
技术: SDRAM - DDR2
存储容量: 256Mb （16M x 16）
存储器接口: 并联
时钟频率: 333MHz
写周期时间 - 字，页: 15ns
访问时间: 450ps
电压 - 电源: 1.7V ~ 1.9V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TC）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 84-TFBGA
供应商器件封装: 84-TWBGA（8x12.5）
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