型号: IS43DR82560B-3DBLI
功能描述:
制造商: Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
存储器类型： 易失
存储器格式： DRAM
技术： SDRAM - DDR2
存储容量： 2Gb （256M x 8）
时钟频率： 333MHz
写周期时间 - 字，页： 15ns
访问时间： 450ps
存储器接口： 并联
电压 - 电源： 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 60-TFBGA
供应商器件封装： 60-TWBGA（10.5x13）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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