型号: IS61LPS12836EC-200B3I
功能描述: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 165TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Series: -
Package: Tray
Memory Type: Volatile
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Memory Size: 4Mb (128K x 36)
Memory Interface: Parallel
Clock Frequency: 200 MHz
Write Cycle Time - Word, Page: -
Access Time: 3.1 ns
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-TBGA
Supplier Device Package: 165-TFBGA (13x15)
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