型号: IS61WV12824-8BI
功能描述: IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Series: -
Package: Tray
Memory Type: Volatile
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Size: 3Mb (128K x 24)
Memory Interface: Parallel
Clock Frequency: -
Write Cycle Time - Word, Page: 8ns
Access Time: 8 ns
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 119-BBGA
Supplier Device Package: 119-PBGA (14x22)
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