型号:  IS62WV51216ALL-70BLI

功能描述:   SRAM 8M (512Kx16) 70ns Async SRAM

制造商:  ISSI

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  312

格式 - 记忆：  RAM

Memory 型 ：  SRAM - Asynchronous

内存大小 ：  8M (512K x 16)

速度 ：  70ns

接口 ：  Parallel (Byte-wide)

- 电源电压：  2.5 V ~ 3.6 V

操作温度 ：  -40°C ~ 85°C

包/盒 ：  48-TFBGA

供应商器件封装：  48-miniBGA (7.2x8.7)

包装材料 ：  Tray

安装：  Surface Mount

定时类型：  Asynchronous

包装宽度：  7.2

PCB：  48

筛选等级：  Industrial

地址总线宽度：  19

典型工作电源电压：  1.8

欧盟RoHS指令：  Compliant

密度：  8M

最低工作温度：  -40

供应商封装形式：  Mini-BGA

标准包装名称：  BGA

最高工作温度：  85

每字位数：  16

端口数：  1

包装长度：  8.7

最低工作电源电压：  1.65

引脚数：  48

最大工作电流：  4

包装高度：  0.6(Min)

Maximum Access Time ：  70

最大工作电源电压：  2.2

字数：  512K

封装：  Tray

格式 - 存储器：  RAM

标准包装：  312

供应商设备封装：  48-miniBGA (7.2x8.7)

内存类型：  SRAM - Asynchronous

工作温度：  -40°C ~ 85°C

存储容量：  8M (512K x 16)

电压 - 电源：  2.5 V ~ 3.6 V

封装/外壳：  48-TFBGA

接口：  Parallel

速度：  70ns

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

最大工作电流：  4 mA

产品种类：  SRAM

工厂包装数量：  312

系列：  IS62WV51216ALL

安装风格：  SMD/SMT

电源电压 - 最大：  2.2 V

访问时间：  70 ns

最低工作温度：  - 40 C

电源电压 - 最小：  1.65 V

最高工作温度：  + 85 C

类型：  Asynchronous

RoHS：  RoHS Compliant