型号:  IS62WV51216BLL-55TLI-TR

功能描述:   SRAM 8Mb 512Kx16 55ns Async SRAM

制造商:  ISSI

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

格式 - 记忆：  RAM

Memory 型 ：  SRAM - Asynchronous

内存大小 ：  8M (512K x 16)

速度 ：  55ns

接口 ：  Parallel (Byte-wide)

- 电源电压：  2.5 V ~ 3.6 V

操作温度 ：  -40°C ~ 85°C

包/盒 ：  44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

供应商器件封装：  44-TSOP II

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

安装：  Surface Mount

定时类型：  Asynchronous

包装宽度：  10.29(Max)

PCB：  44

筛选等级：  Industrial

地址总线宽度：  19

典型工作电源电压：  3.3

欧盟RoHS指令：  Compliant

密度：  8M

最低工作温度：  -40

供应商封装形式：  TSOP-II

标准包装名称：  TSOP

最高工作温度：  85

每字位数：  16

端口数：  1

包装长度：  18.52(Max)

最低工作电源电压：  2.5

引脚数：  44

最大工作电流：  5

包装高度：  1.05(Max)

Maximum Access Time ：  55

封装：  Tape and Reel

最大工作电源电压：  3.6

字数：  512K

铅形状：  Gull-wing

格式 - 存储器：  RAM

标准包装：  1,000

供应商设备封装：  44-TSOP II

内存类型：  SRAM - Asynchronous

工作温度：  -40°C ~ 85°C

存储容量：  8M (512K x 16)

电压 - 电源：  2.5 V ~ 3.6 V

封装/外壳：  44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

接口：  Parallel

速度：  55ns

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

组织：  512 k x 16

工厂包装数量：  1000

产品种类：  SRAM

最大工作电流：  25 uA

系列：  IS62WV51216BLL

安装风格：  SMD/SMT

电源电压 - 最大：  3.6 V

访问时间：  55 ns

最低工作温度：  - 40 C

最大时钟频率：  18 MHz

电源电压 - 最小：  2.5 V

最高工作温度：  + 85 C

类型：  Asynchronous

RoHS：  RoHS Compliant

地址总线：  19 b

工作温度范围：  -40C to 85C

包装类型：  TSOP-II

密度：  8388608 Bit

字长：  16 b

同步/异步：  Asynchronous

工作温度分类：  Industrial

时钟频率（最大）：  Not Required MHz

建筑：  Not Required

弧度硬化：  No

工作电源电压（典型值）：  3.3 V

工作电源电压（最小值）：  2.5 V

工作电源电压（最大值）：  3.6 V

访问时间（最大）：  55ns