型号: ISL9N307AD3ST
功能描述: MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 50 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 11.5 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Pd-功率耗散: 100 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 40 ns, 35 ns
上升时间: 70 ns, 45 ns
系列: ISL9N307
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 40 ns, 60 ns
典型接通延迟时间: 20 ns, 10 ns
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：彭先生
电话：17097219357
Q Q:
联系人：方萍娟
电话：13631525115
Q Q:
联系人：庄宁宁
电话：15356238540
Q Q:
