型号: ISL9N318AD3ST
功能描述: MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 30 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 55 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 28 n 00006000 s
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 46 ns, 29 ns
系列: ISL9N318
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 27 ns, 52 ns
典型接通延迟时间: 11 ns, 6 ns
联系人：Alien
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