型号: ISP12DP06NMXTSA1
功能描述: MOSFET P-CH 60V SOT223-4
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: OptiMOS™
零件状态: 有源
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 125 毫欧 @ 2.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 520µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 20.2nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 790pF @ 30V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.8W（Ta），4.2W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT223-4
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
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