型号: ISP26DP06NMS
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.9A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 270uA 漏源导通电阻：260mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：P沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1.9A
栅源极阈值电压: 4V @ 270uA
漏源导通电阻: 260mΩ @ 1.9A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.8W
类型: P沟道
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：徐文恒
电话：18673875344
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13554783822
Q Q:
联系人：马信潮
电话：15986802007
Q Q:
