型号: ISS55EP06LMXTSA1
功能描述: MOSFET P-CH 60V SOT23-3
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: OptiMOS™
零件状态: 有源
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 180mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 5.5 欧姆 @ 180mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 11µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 590pC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 18pF @ 30V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 400mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT23-3-5
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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