型号: ISZ065N03L5S
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250?A 漏源导通电阻:8.6mΩ @ 20A, 4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 40A
栅源极阈值电压: 2V @ 250?A
漏源导通电阻: 8.6mΩ @ 20A, 4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C): -
类型: N沟道
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