型号: ISZ065N03L5S
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250?A 漏源导通电阻：8.6mΩ @ 20A, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 40A
栅源极阈值电压: 2V @ 250?A
漏源导通电阻: 8.6mΩ @ 20A, 4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: -
类型: N沟道
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