型号: IX2113G
功能描述:
制造商: IXYS Integrated Circuits Division
驱动配置： 半桥
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 10 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL，VIH： 6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 2A，2A
输入类型： 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 9.4ns，9.7ns
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： 14-DIP
供应商器件封装： 14-DIP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：朱
电话：18718681541
Q Q:
联系人：王镇庚
电话：13790833928
Q Q:
联系人：于简
电话：13632927780
Q Q:
