型号: IX4R11S3T/R
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
驱动配置： 半桥
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 10 V ~ 35 V
逻辑电压 - VIL，VIH： 6V，7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 4A，4A
输入类型： 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）： 650V
上升/下降时间（典型值）： 23ns，22ns
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装： 16-SOIC
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：郭鹏程
电话：13113332704
Q Q:
联系人：曾先生
电话：13242990037
Q Q:
联系人：郑涛
电话：13423789177
Q Q:
