型号: IX6R11M6T/R
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
驱动配置： 半桥
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 10 V ~ 35 V
逻辑电压 - VIL，VIH： 6V，9.5V
输入类型： 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 25ns，17ns
工作温度： -40°C ~ 125°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-VDFN 裸焊盘
供应商器件封装： 16-MLP（7x6）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
Shanghai Hua' ai electronic technology co., ltd
联系人：赵先生
电话：18260268891
Q Q:
联系人：纪先生，吴小姐，张先生，朱先生
电话：17788723678
Q Q:
联系人：高先生
Q Q:
