型号: IXBF55N300
功能描述: IGBT 晶体管 High Voltage High Gain BIMOSFET
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: ISOPLUS i4-PAK-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 3 kV
集电极—射极饱和电压: 2.7 V
栅极/发射极最大电压: 25 V
在25 C的连续集电极电流: 86 A
Pd-功率耗散: 357 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
商标: IXYS
栅极—射极漏泄电流: +/- 200 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 25
子类别: IGBTs
商标名: BIMOSFET
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