型号: IXBK55N300
功能描述: IGBT 晶体管
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-264-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 3 kV
集电极—射极饱和电压: 2.7 V
栅极/发射极最大电压: 25 V
在25 C的连续集电极电流: 130 A
Pd-功率耗散: 625 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 130 A
高度: 26.59 mm
长度: 20.29 mm
宽度: 5.31 mm
商标: IXYS
栅极—射极漏泄电流: +/- 200 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 25
子类别: IGBTs
商标名: BIMOSFET
单位重量: 7.500 g
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