型号: IXBX25N250
功能描述: IGBT 晶体管
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 2.5 kV
集电极—射极饱和电压: 3.3 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 55 A
Pd-功率耗散: 300 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 55 A
高度: 21.34 mm
长度: 16.13 mm
宽度: 5.21 mm
商标: IXYS
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
商标名: BIMOSFET
单位重量: 1.600 g
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