型号: IXDI502SIAT/R
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
驱动配置： 低压侧
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 4.5 V ~ 30 V
逻辑电压 - VIL，VIH： 0.8V，3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 2A，2A
输入类型： 反相
上升/下降时间（典型值）： 7.5ns，6.5ns
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SOIC
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：陈先生
电话：18665847287
Q Q:
联系人：郭先生
电话：13266698783
Q Q:
联系人：康先生
电话：13302469625
Q Q:
