型号: IXDI602SITR
功能描述:
制造商: IXYS Integrated Circuits Division
驱动配置： 低压侧
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 4.5 V ~ 35 V
逻辑电压 - VIL，VIH： 0.8V，3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 2A，2A
输入类型： 反相
上升/下降时间（典型值）： 7.5ns，6.5ns
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装： 8-SOIC-EP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：白面书生
电话：15889481983
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：18173569573
Q Q:
联系人：黄秋林
Q Q:
